La memoria 10.000 veces más rápida llegará en 2013

No hay dudas que los memristores están de moda. Después de haber pasado unos 35 años “escondidos” en los laboratorios de las universidades y lejos de la mirada del público, finalmente están a punto de convertirse en un producto listo para el mercado. Este componente electrónico es considerado como el cuarto elemento de los circuitos pasivos, junto al condensador, la resistencia y el inductor. Su nombre está compuesto por las palabras “memory” (memoria) y “resistor” (resistencia), y hace referencia a su principal característica: el valor de su resistencia eléctrica cambia cuando es aplicada una corriente, propiedad que lo hace ideal para ser empleado como un dispositivo de almacenamiento de datos.

Sin embargo, una cosa es conocer sus posibilidades teóricas y otra muy diferente es convertir esto en un producto funcional y lo suficientemente sólido como para que pueda ser integrado junto a componentes “comunes” en un aparato electrónico. Los laboratorios de Hewlett Packard han estado trabajando para lograr este objetivo desde 1998 . Allá por 2008, después de 10 años de trabajo, sus ingenieros presentaron en sociedad el primer prototipo de circuito de memoria basado en memristores y el nombre de este componente se hizo famoso en todo el mundo, en parte gracias al artículo que esta empresa publicó en la prestigiosa revista Nature.

En ese momento se consideró un gran avance el hecho de disponer de un pequeño chip basado en esta tecnología que fuese capaz de guardar un puñado de bits y permitiese que fuesen recuperados más tarde, sin perdida de datos. Al año siguiente, en 2009, HP consiguió aumentar drásticamente la capacidad de almacenamiento de estos chips, alcanzando valores que los convertían en candidatos con buenas posibilidades de reemplazar a las memorias Flash actuales.

La buena noticia es que HP acaba de anunciar que estas memorias, a las que denominan ReRAM (por Resistive Random Access Memory) están mucho más cerca de ser un producto disponible comercialmente. La empresa ha creado una alianza con otros gigantes del sector para disponer de la suficiente capacidad de producción que hará falta para cubrir las demandas que seguramente tendrán los nuevos chips. Los acuerdos de producción y distribución que se han dado a conocer han sido firmados con Hynix (se encargará del ensamblaje de los chips), Samsung, Sharp, la Universidad de Tokio, el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Avanzada de Japón y con Elpida (un conocido fabricante de memorias DRAM). El objetivo que se han propuesto los integrantes de esta alianza es tener listos los chips para el año 2013 .

Los voceros de Hynix han expresado su confianza en el valor comercial de estos circuitos integrados, afirmando que “las ReRAM tienen suficiente potencial como para sustituir a las memorias Flash actuales utilizadas en teléfonos móviles y en reproductores MP3, incluso para convertirse en un medio de almacenamiento universal". Si están en lo cierto, estos chips 100 veces más rápidos que las memorias Flash actuales podrían reemplazar a los todavía poco difundidos discos SSD, a los discos duros y a cualquier otra tecnología de almacenamiento que hoy conocemos.

Potencial para lograrlo no les falta. A su gran velocidad -teóricamente podrían ser 10.000 veces más rápidas que las normales - y capacidad para retener los datos almacenados aún sin estar alimentadas (algo que las memorias Flash también pueden hacer), se suma su muy bajo consumo eléctrico y una alta velocidad de transmisión de datos . Si su precio no es disparatado, seguramente en unos 4 ó 5 años los “pendrives”, teléfonos, reproductores de medios, tablets y tarjetas de memoria utilizarán estos chips. Y poco tiempo después, los discos duros -finalmente- acabarán su reinado, abdicando en favor de las ReRAM.