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La tecnología para una memoria RAM más rápida y capaz da un paso de gigante

Entra en juego el memristor, un componente electrónico que hasta 2008 era sólo teórico. Un descubrimiento fortuito permitirá su fabricación barata y masiva

La tecnología para una memoria RAM más rápida y capaz da un paso de gigante

B.R.

Los memristores existen desde 2008. Fue hace cuatro años cuando un grupo de ingenieros de Hewlett-Packard dio entidad física a lo que hasta entonces no había sido más que una elucubración teórica de casi cuatro décadas . Un elemento capaz de evolucionar la electrónica y, con ella, la informática a todos los niveles. Hasta ahora era muy caro de fabricar, pero un grupo de investigadores ha encontrado —de manera fortuita— un método que lo hace viable industrial y económicamente.

«Una de las cosas importantes del descubrimiento es que se puede fabricar con tecnología estandar », explica Blas Garrido, profesor de la Universidad de Barcelona y coautor del artículo que describe la nueva técnica de fabricación de memristores. «También, que puede ser fabricado en masa », apunta. «Si es caro fabricarlo y además incompatible con lo que existe en la actualidad, no tiene ningún futuro comercial». Se refiere al memristor derivado del diseño original de HP, que exige la utilización de materiales exóticos y tecnologías muy distintas a las de la electrónica común.

Los memristores permite fabricar módulos de memoria RAM mucho más rápidos, de mayor capacidad y menor consumo energético . «El area que se necesita para su efecto es muy pequeña, del orden de nanómetros», cuenta Garrido, que lo concreta en torno a diez veces más capacidad en el mismo espacio. En términos de velocidad son incomparables y el líder de la investigación, Anthony Kenyon, ha confirmado a BBC que no son capaces ni de medirla. El consumo sería, según él mismo, en torno a cien veces menor . Tres ventajas que mejoran de un plumazo cada aspecto de la tecnología presente.

Memristor es la contracción entre «memory» (memoria) y «resistor» (resistencia). Es un elemento electrónico que modifica su resistencia al paso de la corriente y mantiene ese estado una vez ésta se apaga. Esta característica le permite almacenar información de manera permanente —o hasta que se decida—. Por su parte, las memorias RAM actuales son volátiles —pierden la información cuando deja de circular corriente— y además exigen un continuo refresco que requiere de circuitería extra. Para colmo, se está muy cerca del límite físico en el que la tecnología actual no podrá avanzar más.

Los investigadores implicados en la nueva técnica formaban parte de la Sociedad Europea de Investigación de Materiales , «en un proyecto que se acabó hace un año», dice Garrido. Aún trabajaban juntos en algunas cosas. Su intención original era fabricar un amplificador integrado óptico. «Queríamos sacar luz de los dispositivos, pero no funcionaron muy bien. Sin embargo resultó que tenían comportamiento electrónico», explica el investigador de la UB. Descubrieron que una película de óxido de silicio —que se forma naturalmente al poner en contacto este elemento y la atmósfera— actuaba como un memristor.

Además de para la memoria RAM, Garrido afirma que también podría ser competitivo contra las actuales tecnologías de memoria flash. «Aunque los USB y las tarjetas de memoria están más avanzados y sería más dificil», explica.

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